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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.967344
10
¥1.855985
100
¥1.750926
500
¥1.651822
1000
¥1.558323
ON Semiconductor 2SA1419T-TD-E
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- 对比
2SA1419T-TD-E
1807-2SA1419T-TD-E
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-243AA
大陆
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Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 4-Pin(3 Tab) PCP T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2SA1419T-TD-E详情
ON Semiconductor 2SA1419T-TD-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
2 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
160V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.75
最大功率耗散
500mW
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
Reach合规守则
not_compliant
基本部件号
2SA1419
引脚数量
3
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
500mW
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
500mV
最大集电极电流
1.5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 100mA 5V
最大集极截止电流
1μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 50mA, 500mA
转换频率
120MHz
频率转换
120MHz
集电极基极电压(VCBO)
180V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SA1419T-TD-E拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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