ON Semiconductor 2SA1593T-E

工厂交货时间

2 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

1W

hFEMin

100

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2012

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

基本部件号

2SA1593

功率 - 最大

1W

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 100mA, 1A

频率转换

120MHz

集电极基极电压(VCBO)

120V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅