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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.080312
10
¥1.019163
100
¥0.961473
500
¥0.907054
1000
¥0.855711
ON Semiconductor 2SA1774T1G
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- 对比
2SA1774T1G
1807-2SA1774T1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SC-75, SOT-416
大陆
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TRANS PNP 50V 0.1A SC75
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2SA1774T1G详情
ON Semiconductor 2SA1774T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
2 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-75, SOT-416
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-500mV
Number of Elements
1
hFEMin
120
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
-50V
最大功率耗散
150mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-100mA
频率
140MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
2SA1774
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
150mW
晶体管应用
AMPLIFIER
无卤素
无卤素
增益带宽积
140MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 1mA 6V
最大集极截止电流
500nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 5mA, 50mA
转换频率
140MHz
最大击穿电压
50V
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
高度
800μm
长度
1.65mm
宽度
900μm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SA1774T1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






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