ON Semiconductor 2SA1962RTU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

质量

6.401g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

250V

Number of Elements

1

hFEMin

55

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

130W

频率

30MHz

基本部件号

2SA1962

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

功率耗散

130W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

30MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

250V

最大集电极电流

17A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

55 @ 1A 5V

最大集极截止电流

5μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 800mA, 8A

转换频率

30MHz

集电极基极电压(VCBO)

-250V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant