ON Semiconductor 2SA2039-E
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2SA2039-E
1807-2SA2039-E
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Trans GP BJT PNP 50V 5A 3-Pin(3 Tab) TP Bag
--最小包装量--
2SA2039-E详情
ON Semiconductor 2SA2039-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
表面安装
NO
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Current-Collector (Ic) (Max)
5A
Number of Elements
1
hFEMin
200
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2012
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最大功率耗散
800mW
端子位置
SINGLE
频率
360MHz
基本部件号
2SA2039
引脚数量
3
配置
SINGLE
功率耗散
800mW
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 500mA 2V
最大集极截止电流
1μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
430mV @ 100mA, 2A
转换频率
360MHz
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SA2039-E拓展信息
ON Semiconductor
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