ON Semiconductor 2SA2127

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-200mV

Current-Collector (Ic) (Max)

2A

Number of Elements

1

hFEMin

200

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2012

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)

最大功率耗散

1W

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

420MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

1μA ICBO

JEDEC-95代码

TO-226AE

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 50mA, 1A

转换频率

420MHz

集电极基极电压(VCBO)

-50V

发射极基极电压 (VEBO)

-6V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅