ON Semiconductor 2SA608NF-NPA-AT

触点镀层

Tin

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

1

hFEMin

160

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.75

最大功率耗散

500mW

端子位置

BOTTOM

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

配置

SINGLE

功率 - 最大

500mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

-300mV

最大集电极电流

150mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

160 @ 1mA 6V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 10mA, 100mA

转换频率

200MHz

频率转换

200MHz

集电极基极电压(VCBO)

50V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅