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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.12026
10
¥1.056844
100
¥0.997026
500
¥0.940591
1000
¥0.88735
ON Semiconductor 2SA608NG-NPA-AT
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- 对比
2SA608NG-NPA-AT
1807-2SA608NG-NPA-AT
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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TRANS PNP 50V 0.15A NPA
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2SA608NG-NPA-AT详情
ON Semiconductor 2SA608NG-NPA-AT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
表面安装
NO
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
300mV
Current-Collector (Ic) (Max)
150mA
Number of Elements
1
hFEMin
280
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.21.00.75
最大功率耗散
500mW
端子位置
BOTTOM
引脚数量
3
元素配置
Single
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
200MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
-300mV
最大集电极电流
150mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
280 @ 1mA 6V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 10mA, 100mA
转换频率
200MHz
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
2SA608NG-NPA-AT拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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