ON Semiconductor 2SB1122T-TD-E

工厂交货时间

2 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

表面安装

YES

触点镀层

Tin

引脚数

3

Collector-Emitter Saturation Voltage

-500mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

500mW

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

元素配置

Single

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

最高频率

150MHz

频率转换

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

-60V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

宽度

2.5mm

长度

4.5mm

高度

1.5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅