ON Semiconductor 2SB1123T-TD-E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

工厂交货时间

5 Weeks

表面安装

YES

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-300mV

Number of Elements

1

hFEMin

100

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

HTS代码

8541.21.00.75

最大功率耗散

500mW

终端形式

FLAT

引脚数量

3

极性

PNP

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

150MHz

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

2A

最高频率

150MHz

转换频率

150MHz

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

-60V

发射极基极电压 (VEBO)

-6V

最小直流增益（hFE）

200

关断时间-最大值（toff)

480ns

接通时间-最大值(ton)

60ns

高度

1.5mm

长度

4.5mm

宽度

2.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅