ON Semiconductor 2SB1143T

触点镀层

Tin

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-700mV

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2003

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

1.5W

引脚数量

3

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

150MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

700mV @ 100mA, 2A

最高频率

150MHz

转换频率

150MHz

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

连续集电极电流

4A

高度

11mm

长度

8mm

宽度

3.3mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅