ON Semiconductor 2SB1215S-H

生命周期状态

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工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

表面安装

NO

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

hFEMin

70

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2012

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

最大功率耗散

1W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

2SB1215

配置

Single

功率 - 最大

1W

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

140 @ 500mA 5V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 150mA, 1.5A

频率转换

130MHz

发射极基极电压 (VEBO)

-6V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅