ON Semiconductor 2SB1302S-TD-E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-250mV

Current-Collector (Ic) (Max)

5A

Number of Elements

1

hFEMin

140

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

最大功率耗散

1.3W

终端形式

FLAT

引脚数量

3

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

320MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

10V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

500nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 60mA, 3A

最高频率

320MHz

转换频率

320MHz

集电极基极电压(VCBO)

-25V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

高度

1.5mm

长度

4.5mm

宽度

2.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅