ON Semiconductor 2SB815-6-TB-E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

-15mV

Current-Collector (Ic) (Max)

700mA

Number of Elements

1

hFEMin

200

操作温度

125°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

最大功率耗散

200mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

元素配置

Single

增益带宽积

250MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

15V

最大集电极电流

700mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 50mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

80mV @ 10mA, 100mA

最高频率

250MHz

转换频率

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

-20V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

高度

1.1mm

长度

2.9mm

宽度

1.5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅