ON Semiconductor 2SC5200RTU

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

质量

6.756g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

250V

Number of Elements

1

hFEMin

55

操作温度

-50°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2015

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

150W

频率

30MHz

基本部件号

2SC5200

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

功率耗散

150W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

30MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

250V

最大集电极电流

17A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

55 @ 1A 5V

最大集极截止电流

5μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 800mA, 8A

转换频率

30MHz

集电极基极电压(VCBO)

250V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅