ON Semiconductor 2SC536NG-NPA-AT

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV

Current-Collector (Ic) (Max)

150mA

Number of Elements

1

hFEMin

280

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.21.00.75

最大功率耗散

500mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

200MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

150mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

280 @ 1mA 6V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 10mA, 100mA

转换频率

200MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅