ON Semiconductor 2SC5658RM3T5G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

2 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-723

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Number of Elements

1

hFEMin

120

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

260mW

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

频率

180MHz

基本部件号

2SC5658

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

260mW

晶体管应用

AMPLIFIER

无卤素

无卤素

增益带宽积

180MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

215 @ 1mA 6V

最大集极截止电流

500nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 5mA, 60mA

转换频率

180MHz

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

550μm

长度

1.25mm

宽度

850μm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅