ON Semiconductor 2SC5706-E
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2SC5706-E
1807-2SC5706-E
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
--最小包装量--
2SC5706-E详情
ON Semiconductor 2SC5706-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 hours ago)
工厂交货时间
2 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
表面安装
NO
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
160mV
Current-Collector (Ic) (Max)
5A
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2012
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
HTS代码
8541.21.00.75
最大功率耗散
800mW
基本部件号
2SC5706
引脚数量
3
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
400MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 500mA 2V
最大集极截止电流
1μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
240mV @ 100mA, 2A
转换频率
400MHz
集电极基极电压(VCBO)
100V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SC5706-E拓展信息
ON Semiconductor
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