ON Semiconductor 2SC5706-P-E
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2SC5706-P-E
1807-2SC5706-P-E
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
1最小包装量--
2SC5706-P-E详情
ON Semiconductor 2SC5706-P-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
4 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
包装
Bulk
已出版
2016
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
800mW
功率 - 最大
800mW
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
240mV
最大集电极电流
5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 500mA 2V
最大集极截止电流
1μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
240mV @ 100mA, 2A
频率转换
400MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
2SC5706-P-E拓展信息
ON Semiconductor
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