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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 2SC6099-E
2SC6099-E
2SC6099-E

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

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ON Semiconductor 2SC6099-E

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型号

2SC6099-E

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-2SC6099-E

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN 100V 2A TP

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2SC6099-E
2SC6099-E ON Semiconductor TRANS NPN 100V 2A TP

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2SC6099-E详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor 2SC6099-E重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 生命周期状态

    LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)

  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

  • 引脚数

    3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    100V

  • hFEMin

    300

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2012

  • JESD-609代码

    e6

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Bismuth (Sn/Bi)

  • 最大功率耗散

    800mW

  • 引脚数量

    3

  • 功率 - 最大

    800mW

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    165mV

  • 最大集电极电流

    2A

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    300 @ 100mA 5V

  • 最大集极截止电流

    1μA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    165mV @ 100mA, 1A

  • 频率转换

    300MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    120V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    6.5V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor 2SC6099-E.

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & 2SC6099-E相似的参数规格。

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公司资质

ISO13485
AS
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