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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥13.443155
10
¥12.682219
100
¥11.96436
500
¥11.287128
1000
¥10.648237
ON Semiconductor 2SD1060S-1E
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- 对比
2SD1060S-1E
1807-2SD1060S-1E
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-220-3
大陆
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Trans GP BJT NPN|PNP 50V 5A 3-Pin TO-220AB
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2SD1060S-1E详情
ON Semiconductor 2SD1060S-1E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
9 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
已出版
2005
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
1.75W
功率 - 最大
1.75W
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
140 @ 1A 2V
最大集极截止电流
100μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 300mA, 3A
频率转换
30MHz
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SD1060S-1E拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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