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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.664038
10
¥5.343432
100
¥5.040971
500
¥4.755634
1000
¥4.48645
ON Semiconductor 2SD1624S-TD-H
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- 对比
2SD1624S-TD-H
1807-2SD1624S-TD-H
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-243AA
大陆
立即发货

Bipolar Transistor, (-)50V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2SD1624S-TD-H详情
ON Semiconductor 2SD1624S-TD-H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
1
hFEMin
100
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
HTS代码
8541.21.00.75
最大功率耗散
500mW
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
Reach合规守则
not_compliant
基本部件号
2SD1624
引脚数量
3
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
500mW
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
无卤素
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
140 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
1μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 100mA, 2A
转换频率
150MHz
频率转换
150MHz
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SD1624S-TD-H拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







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