ON Semiconductor 2SD1801S-TL-E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

150mV

Current-Collector (Ic) (Max)

2A

Number of Elements

1

hFEMin

140

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

最大功率耗散

800mW

终端形式

鸥翼

基本部件号

2SD1801

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

150MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 50mA, 1A

最高频率

150MHz

转换频率

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

高度

2.3mm

长度

6.5mm

宽度

5.5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅