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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.487567
10
¥8.007135
100
¥7.553901
500
¥7.126323
1000
¥6.722946
ON Semiconductor 2SD1805G-TL-E
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- 对比
2SD1805G-TL-E
1807-2SD1805G-TL-E
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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ON Semi 2SD1805G-TL-E NPN Bipolar Transistor; 5 A; 20 V; 3-Pin TP-FA
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2SD1805G-TL-E详情
ON Semiconductor 2SD1805G-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
2 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5V
Current-Collector (Ic) (Max)
5A
hFEMin
280
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1999
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最大功率耗散
1W
Reach合规守则
not_compliant
基本部件号
2SD1805
引脚数量
3
元素配置
Single
增益带宽积
120MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
500mV
最大集电极电流
5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
280 @ 500mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 60mA, 3A
最高频率
120MHz
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
高度
2.3mm
长度
6.5mm
宽度
5.5mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SD1805G-TL-E拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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