ON Semiconductor 2SK3666-2-TB-E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

包装/外壳

TO-236-3

表面安装

YES

引脚数

3

Number of Elements

1

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

200mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

DEPLETION MODE

功率耗散

200mW

晶体管应用

AMPLIFIER

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

10mA

栅极至源极电压(Vgs)

-30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.01A

漏源击穿电压

30V

输入电容

4pF

场效应管技术

JUNCTION

漏源电阻

200Ohm

高度

1.1mm

长度

2.9mm

宽度

1.5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅