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1

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500

￥0.319721
1000

￥0.266433
2000

￥0.244437
5000

￥0.228443
10000

￥0.212504
15000

￥0.205515
50000

￥0.202084

ON Semiconductor 30A02MH-TL-H

Name: 30A02MH-TL-H
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-30A02MH-TL-H
Price: 0.43 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

30A02MH-TL-H

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-30A02MH-TL-H

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

SC-70, SOT-323

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistor -30V -700mA VCE(sat); 220mV max. PNP Single MCPH3

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30A02MH-TL-H ON Semiconductor Bipolar Transistor -30V -700mA VCE(sat); 220mV max. PNP Single MCPH3

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30A02MH-TL-H详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor 30A02MH-TL-H重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间

4 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SC-70, SOT-323
引脚数

3
Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V
hFEMin

200
操作温度

150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2012
JESD-609代码

e6
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最大功率耗散

600mW
引脚数量

3
功率 - 最大

600mW
无卤素

无卤素
晶体管类型

PNP
集电极发射器电压(VCEO)

-220mV
最大集电极电流

700mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 10mA 2V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

220mV @ 10mA, 200mA
频率转换

520MHz
集电极基极电压(VCBO)

30V
发射极基极电压 (VEBO)

-5V
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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30A02MH-TL-H拓展信息

热销零件