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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.838699
10
¥2.678018
100
¥2.526432
500
¥2.383426
1000
¥2.248516
ON Semiconductor 4N35M
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- 对比
4N35M
1807-4N35M
光隔离器 - 晶体管,光电输出
6-DIP (0.300, 7.62mm)
大陆
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 4N35-M Transistor Output Optocoupler, 1, 7.5 kV, 100 %, 60 mA, DIP, 6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
4N35M详情
ON Semiconductor 4N35M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
6-DIP (0.300, 7.62mm)
引脚数
6
供应商器件包装
6-DIP
质量
855mg
Collector-Emitter Saturation Voltage
300mV
Current Transfer Ratio-Min
100% @ 10mA
Number of Elements
1
操作温度
-40°C~100°C
包装
Tube
已出版
2008
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
100°C
最小工作温度
-40°C
最大功率耗散
250mW
基本部件号
4N35
电压-隔离度
4170Vrms
输出电压
30V
输出类型
带基极晶体管
通道数量
1
电路数量
1
功率耗散
250mW
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.18V
输入类型
DC
正向电流
60mA
最大输出电压
30V
上升时间
2μs
正向电压
1.5V
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
反向击穿电压
6V
最大输入电流
50mA
最大直流驱动电流(If)
60mA
输入电流
10mA
接通 / 关断时间(典型值)
2μs, 2μs
Vce 饱和度(最大值)
300mV
反向电压(直流电)
6V
高度
6.35mm
长度
6.35mm
宽度
6.35mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
4N35M拓展信息







哦! 它是空的。