ON Semiconductor 4N35M

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

6-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

6

供应商器件包装

6-DIP

质量

855mg

Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV

Current Transfer Ratio-Min

100% @ 10mA

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~100°C

包装

Tube

已出版

2008

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

100°C

最小工作温度

-40°C

最大功率耗散

250mW

基本部件号

4N35

电压-隔离度

4170Vrms

输出电压

30V

输出类型

带基极晶体管

通道数量

1

电路数量

1

功率耗散

250mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.18V

输入类型

DC

正向电流

60mA

最大输出电压

30V

上升时间

2μs

正向电压

1.5V

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

反向击穿电压

6V

最大输入电流

50mA

最大直流驱动电流（If）

60mA

输入电流

10mA

接通 / 关断时间（典型值）

2μs, 2μs

Vce 饱和度（最大值）

300mV

反向电压(直流电)

6V

高度

6.35mm

长度

6.35mm

宽度

6.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅