ON Semiconductor 50C02MH-TL-E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, Flat Lead

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

最大功率耗散

600mW

端子位置

DUAL

引脚数量

3

配置

SINGLE

功率 - 最大

600mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

100mV

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 10mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

100mV @ 10mA, 100mA

转换频率

500MHz

频率转换

500MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅