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价格梯度

内地含税价

1

￥52.029253
10

￥49.084204
100

￥46.305847
500

￥43.684762
1000

￥41.212044

ON Semiconductor AFGHL50T65SQD

Name: AFGHL50T65SQD
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-AFGHL50T65SQD
Price: 52.03 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

AFGHL50T65SQD

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-AFGHL50T65SQD

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor IGBT Chip N-Channel 650V 50A 3-Pin TO-247

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AFGHL50T65SQD ON Semiconductor Transistor IGBT Chip N-Channel 650V 50A 3-Pin TO-247

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AFGHL50T65SQD详情

技术参数

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ON Semiconductor AFGHL50T65SQD重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

TO-247-3
安装类型

通孔
供应商器件包装

TO-247-3
Maximum Gate Emitter Voltage

±30.0V
Package Type

TO-247
Maximum Collector Emitter Voltage

650 V
Pd - Power Dissipation

268 W
Maximum Operating Temperature

+ 175 C
Collector-Emitter Saturation Voltage

1.6 V
Minimum Operating Temperature

- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

30
Continuous Collector Current at 25 C

80 A
Mounting Styles

通孔
Manufacturer

onsemi
Brand

onsemi
RoHS

Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max

650 V
Package

Tube
Current-Collector (Ic) (Max)

80 A
Base Product Number

AFGHL50
厂商

onsemi
Product Status

活跃
Test Conditions

400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)
系列

Automotive, AEC-Q101
子类别

IGBTs
技术

Si
引脚数量

3
配置

Single
功率耗散

268W
输入类型

Standard
功率 - 最大

268 W
产品类别

IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V
信道型

N
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 50A
连续集电极电流

80A
IGBT类型

沟渠现场停车
闸门收费

102 nC
集极脉冲电流（Icm）

200 A
Td（开/关）@25°C

20ns/81ns
开关能量

950µJ (on), 460µJ (off)
产品类别

IGBT晶体管

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