ON Semiconductor AFGHL50T65SQD

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-247-3

Maximum Gate Emitter Voltage

±30.0V

Package Type

TO-247

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Pd - Power Dissipation

268 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.6 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

30

Continuous Collector Current at 25 C

80 A

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

onsemi

Brand

onsemi

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

650 V

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

80 A

Base Product Number

AFGHL50

厂商

onsemi

Product Status

活跃

Test Conditions

400V, 50A, 4.7Ohm, 15V

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

Automotive, AEC-Q101

子类别

IGBTs

技术

Si

引脚数量

3

配置

Single

功率耗散

268W

输入类型

Standard

功率 - 最大

268 W

产品类别

IGBT晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

信道型

N

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 50A

连续集电极电流

80A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

102 nC

集极脉冲电流（Icm）

200 A

Td（开/关）@25°C

20ns/81ns

开关能量

950µJ (on), 460µJ (off)

产品类别

IGBT晶体管