BAS16LT1G
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ON Semiconductor BAS16LT1G

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型号

BAS16LT1G

utmel 编号

1807-BAS16LT1G

商品类别

二极管 - 整流器 - 单

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

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BAS16LT1G
BAS16LT1G ON Semiconductor DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

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BAS16LT1G详情

ON Semiconductor BAS16LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • HTS代码

    8541.10.00.70

  • 电容量

    2pF

  • 电压 - 额定直流

    75V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 额定电流

    200mA

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    BAS16

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 速度

    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

  • 二极管类型

    Standard

  • 反向泄漏电流@ Vr

    1μA @ 100V

  • 功率耗散

    300mW

  • 输出电流

    200mA

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    1.25V @ 150mA

  • 正向电流

    200mA

  • 最大反向漏电电流

    1μA

  • 工作温度 - 结点

    -55°C~150°C

  • 最大浪涌电流

    500mA

  • 无卤素

    无卤素

  • 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)

    100V

  • 平均整流电流(Io)

    200mA DC

  • 正向电压

    1.25V

  • 最大反向电压(DC)

    75V

  • 平均整流电流

    200mA

  • 反向恢复时间

    6 ns

  • 峰值反向电流

    1μA

  • 最大重复反向电压(Vrrm)

    75V

  • 电容@Vr, F

    2pF @ 0V 1MHz

  • 峰值非恢复性浪涌电流

    500mA

  • 最大正向浪涌电流(Ifsm)

    500mA

  • 恢复时间

    6 ns

  • 高度

    1.016mm

  • 长度

    3.0226mm

  • 宽度

    1.397mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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