ON Semiconductor BC183LC

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

201mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

600mV

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

350mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

额定电流

100mA

频率

150MHz

基本部件号

BC183

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

350mW

增益带宽积

150MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 10μA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 5mA, 100mA

转换频率

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

45V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

集电极-基极电容-最大值

4.5pF

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅