ON Semiconductor BC307B

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-300mV

hFEMin

150

Number of Elements

1

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

已出版

2002

包装

Bulk

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

-45V

最大功率耗散

350mW

额定电流

-100mA

频率

130MHz

基本部件号

BC307

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

500mW

功率 - 最大

350mW

增益带宽积

280MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 5mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

45V

最高频率

280MHz

最大击穿电压

45V

频率转换

280MHz

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

宽度

4.19mm

长度

5.2mm

高度

5.33mm

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

无铅