ON Semiconductor BC327
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BC327
1807-BC327
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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TRANS PNP 45V 0.8A TO-92
1最小包装量--
BC327详情
ON Semiconductor BC327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
OBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
引脚数
3
供应商器件包装
TO-92-3
质量
200mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-700mV
Current-Collector (Ic) (Max)
800mA
Number of Elements
1
hFEMin
100
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2002
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
-45V
最大功率耗散
625mW
额定电流
-800mA
频率
100MHz
基本部件号
BC327
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
625mW
功率 - 最大
625mW
增益带宽积
260MHz
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
45V
最大集电极电流
800mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 100mA 1V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
700mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
45V
最高频率
100MHz
最大击穿电压
45V
频率转换
260MHz
集电极基极电压(VCBO)
-50V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
高度
4.58mm
长度
4.58mm
宽度
3.86mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
无铅
BC327拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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