ON Semiconductor BC32716TA

生命周期状态

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工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

质量

240mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-700mV

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

已出版

2002

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-45V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

额定电流

-800mA

频率

100MHz

基本部件号

BC327

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

800mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

700mV @ 50mA, 500mA

转换频率

100MHz

最大击穿电压

45V

集电极基极电压(VCBO)

-10V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

高度

4.58mm

长度

4.58mm

宽度

3.86mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅