ON Semiconductor BC337-016G

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

700mV

hFEMin

100

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2005

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

电压 - 额定直流

45V

最大功率耗散

625mW

额定电流

800mA

基本部件号

BC337

元素配置

Single

增益带宽积

210MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

700mV

最大集电极电流

800mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

700mV @ 50mA, 500mA

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅