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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.896249
10
¥1.788914
100
¥1.687655
500
¥1.592125
1000
¥1.502008
ON Semiconductor BC33825TA
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- 对比
BC33825TA
1807-BC33825TA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
大陆
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Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 3-Pin TO-92 Ammo
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BC33825TA详情
ON Semiconductor BC33825TA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
2 Weeks
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数
3
质量
240mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
25V
Collector-Emitter Saturation Voltage
700mV
Number of Elements
1
hFEMin
100
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Box (TB)
已出版
2002
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
25V
最大功率耗散
625mW
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
800mA
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BC338
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
625mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
100MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
25V
最大集电极电流
800mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
160 @ 100mA 1V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
700mV @ 50mA, 500mA
转换频率
100MHz
最大击穿电压
25V
集电极基极电压(VCBO)
10V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
4.58mm
长度
4.58mm
宽度
3.86mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BC33825TA拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







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