ON Semiconductor BC488BRL1G

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

已出版

2005

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

-60V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

-1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

625mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

160 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 100mA, 1A

转换频率

150MHz

频率转换

150MHz

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅