ON Semiconductor BC516-D27Z
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BC516-D27Z
1807-BC516-D27Z
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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ON SEMICONDUCTOR - BC516-D27Z - TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -30V, TO-226AA-3
--最小包装量--
BC516-D27Z详情
ON Semiconductor BC516-D27Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
5 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数
3
质量
286mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1V
Number of Elements
1
hFEMin
3000
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
电压 - 额定直流
-30V
最大功率耗散
625mW
端子位置
BOTTOM
额定电流
-1A
基本部件号
BC516
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
625mW
晶体管类型
PNP - Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30000 @ 20mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 100μA, 100mA
转换频率
200MHz
最大击穿电压
30V
频率转换
200MHz
集电极基极电压(VCBO)
40V
发射极基极电压 (VEBO)
10V
连续集电极电流
1A
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BC516-D27Z拓展信息
ON Semiconductor
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