ON Semiconductor BC556B

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92-3

质量

200mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

65V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-300mV

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Number of Elements

1

hFEMin

110

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2002

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

通孔

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

电压 - 额定直流

-65V

最大功率耗散

625mW

额定电流

-100mA

频率

150MHz

基本部件号

BC556

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

500mW

功率 - 最大

625mW

增益带宽积

100MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

65V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

180 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

65V

最高频率

280MHz

最大击穿电压

65V

频率转换

280MHz

集电极基极电压(VCBO)

-80V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

高度

5.33mm

长度

5.2mm

宽度

4.19mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

无铅