ON Semiconductor BC556BTF

工厂交货时间

7 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

质量

240mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

65V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-250mV

Number of Elements

1

hFEMin

110

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-65V

最大功率耗散

500mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

-100mA

频率

150MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BC556

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

500mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

150MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

65V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

转换频率

150MHz

最大击穿电压

65V

集电极基极电压(VCBO)

-80V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅