ON Semiconductor BC558BBU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

178.2mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-250mV

Number of Elements

1

hFEMin

110

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

-30V

最大功率耗散

500mW

额定电流

-100mA

频率

150MHz

基本部件号

BC558

元素配置

Single

功率耗散

500mW

增益带宽积

150MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

650mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

集电极基极电压(VCBO)

-30V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅