ON Semiconductor BC635ZL1G

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

25

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

200MHz

Power Dissipation (Max)

625mW

Number of Elements

1

已出版

2005

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

欧洲零件号

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

45V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BC635

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 150mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

转换频率

200MHz

集电极基极电压(VCBO)

45V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

1A

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅