ON Semiconductor BC638

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92-3

质量

201mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-500mV

Current-Collector (Ic) (Max)

500mA

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

-60V

最大功率耗散

625mW

额定电流

-1A

频率

100MHz

基本部件号

BC638

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

1W

功率 - 最大

625mW

增益带宽积

150MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 150mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

最大击穿电压

60V

频率转换

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

无铅