ON Semiconductor BC638ZL1G

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-500mV

Current-Collector (Ic) (Max)

500mA

Number of Elements

1

hFEMin

25

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

已出版

2005

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

欧洲零件号

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

-60V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-500mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BC638

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

增益带宽积

150MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 150mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

转换频率

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅