ON Semiconductor BC818-40LT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Collector-Emitter Saturation Voltage

700mV

Number of Elements

1

hFEMin

250

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

225mW

频率

100MHz

基本部件号

BC818

元素配置

Single

功率耗散

300mW

功率 - 最大

225mW

无卤素

无卤素

增益带宽积

100MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

25V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

250 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

700mV @ 50mA, 500mA

最大击穿电压

25V

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

1.11mm

长度

3.04mm

宽度

1.4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅