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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.921945
500
¥0.677902
1000
¥0.564918
2000
¥0.518272
5000
¥0.484367
10000
¥0.450571
15000
¥0.435758
50000
¥0.428478
ON Semiconductor BC850AMTF
- 收藏
- 对比
BC850AMTF
1807-BC850AMTF
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BC850AMTF详情
ON Semiconductor BC850AMTF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
30mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Collector-Emitter Saturation Voltage
200mV
Number of Elements
1
hFEMin
110
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低噪音
电压 - 额定直流
45V
最大功率耗散
310mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
100mA
频率
300MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BC850
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
310mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
300MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
45V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
110 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 5mA, 100mA
转换频率
300MHz
最大击穿电压
45V
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
930μm
长度
2.92mm
宽度
1.3mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
BC850AMTF拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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