ON Semiconductor BC857BLT1

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)

包装/外壳

SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-650mV

Number of Elements

1

hFEMin

220

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2005

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn80Pb20)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

-45V

最大功率耗散

300mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-100mA

频率

100MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

300mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

100MHz

集电极发射器电压(VCEO)

650mV

最大集电极电流

100mA

转换频率

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

-50V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

最小直流增益（hFE）

220

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅