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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.85422
10
¥0.805872
100
¥0.76025
500
¥0.717221
1000
¥0.676625
ON Semiconductor BC857CLT3G
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- 对比
BC857CLT3G
1807-BC857CLT3G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BC857CLT3G详情
ON Semiconductor BC857CLT3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
300mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
300mW
增益带宽积
100MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
45V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
420 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
650mV @ 5mA, 100mA
转换频率
100MHz
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BC857CLT3G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







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